KAIST팀, 이황화몰리브덴 결정핵 위치 정밀 제어 성공

KAIST, UNIST, 한양대, 티디에스이노베이션 공동연구팀이 2차원 반도체 소재인 이황화몰리브덴의 결정이 생기는 시작 위치까지 정밀하게 제어하는 기술을 개발해 네이처에 발표했다. 성장 영역을 둘러싼 산화물 장벽에서 나오는 산소 성분이 가장자리에서 결정핵 생성을 강하게 억제하는 점을 이용해 영역 중앙에서 하나의 결정핵만 생기도록 유도했다. 400개 실험 패턴 중 99% 이상에서 경계 없는 단결정 성장에 성공했으며, 이는 연산과 메모리를 수직으로 쌓는 차세대 적층형 AI 반도체의 기반 기술로 활용될 것으로 기대된다.

핵심

1. 산화물 장벽의 산소 성분을 이용해 결정핵 생성 위치를 영역 중앙으로 유도
2. 400개 실험 패턴 중 99% 이상에서 경계 없는 단결정 형성에 성공
3. 기존 선택성장 기술은 영역만 정할 뿐 결정핵 위치까지는 제어하지 못했음
4. 연산-메모리 수직 집적형 차세대 AI 반도체 기반 기술로 기대