전북대 임지훈 교수팀이 열광전지(TPV)의 성능과 경제성을 전기·열 통합 분석으로 평가해, 폐열 회수와 열에너지 저장 용도에 맞는 반도체 소재 선택 로드맵을 제시했다. 밴드갭 0.74eV InGaAs부터 1.42eV GaAs까지 Ⅲ-Ⅴ족 화합물반도체를 비교한 결과, GaAs는 40% 이상의 변환효율과 최대 10 W/㎠의 출력밀도를 보여 표준 태양전지보다 훨씬 높은 출력밀도를 나타냈다. 폐열을 지속 공급받는 환경에서는 InGaAs·InGaAsP가, 저장한 열을 전기로 전환하는 환경에서는 GaAs가 경제성 면에서 유리한 것으로 분석됐다. 이 연구는 효율이 가장 높은 소재가 반드시 경제성에서도 유리한 것은 아니라는 점을 밝히고, 용도별 설계 지침을 제공했다는 데 의미가 있다.
핵심
- 밴드갭 0.74eV InGaAs부터 1.42eV GaAs까지 Ⅲ-Ⅴ족 화합물반도체의 전기·열 통합 분석을 수행했다.
- GaAs는 40% 이상 변환효율, 최대 10 W/㎠ 출력밀도로 표준 태양전지 대비 약 400~500배 높은 출력밀도를 보였다.
- 폐열 회수 환경엔 InGaAs·InGaAsP, 열에너지 저장 환경엔 GaAs가 경제성 면에서 유리하다는 용도별 차이를 밝혔다.
- 국내 최초로 두 활용 분야를 통합 비교해 용도별 최적 반도체 소재 선택 로드맵을 제시했다.
원문이 밝힌 한계
- 이번 결과는 광학·저항 손실과 소자 온도 상승을 반영한 전기·열 통합 분석에 기반한 것으로, 실제 소자 제작이나 실증 데이터는 제시되지 않았다.



