소재·화학Materials & ChemistryRSS 구독

III-질화물 반도체, 계면분극으로 상온 인센서컴퓨팅 구현

연구반도체·디스플레이 소재Nature Materials 원문 기준원문 발행 2026.10.27영어 원문을 옮김
반도체·디스플레이 소재 분야 사진 — 이 글의 내용을 찍은 사진이 아닙니다 · 클린룸에서 웨이퍼를 다루는 연구원 · 사진 U.S. Department of Energy (퍼블릭 도메인)

Nature Materials에 게재된 연구는 III-질화물 반도체의 고유한 전기분극 특성을 센서-멤리스터형 소자에 적용한 결과를 다뤘다. 이 분극은 대형 광전자 소자에는 유리하지만 센서-멤리스터 소자 연구에서는 거의 다뤄지지 않았던 특성이다. 연구팀은 III-질화물 이종구조 계면에서 분극에 의해 광생성된 캐리어가 공간적으로 분리되는 현상을 이용해 상온에서 동작하는 효율적이고 확장 가능한 인센서 컴퓨팅을 구현했다고 밝혔다.

핵심

  1. III-질화물 이종구조 계면의 분극 효과로 광생성 캐리어를 공간적으로 분리함.
  2. 별도의 냉각 없이 상온에서 동작하는 인센서 컴퓨팅 소자를 구현함.
  3. 대형 광전자 소자로 확장 가능한 구조라는 점을 제시함.
원문 · Nature Materials — III-nitride-based in-sensor computing enabled by interfacial polarization effects
원문을 Claude 가 요약·정리하고 코드 검사(원문에 없는 수치·화학식, 가격, 상대 시점, 투자 권유, 과장 표현 차단)를 통과한 글입니다. 연구의 주장과 평가는 원 논문·발표처의 것입니다. 오류는 contact@qpx.kr.
Next Story · 다음 글

열 흐름 우회시키는 3D 클로킹 장치, 적외선 탐지 회피 실증

연구진이 복잡한 형태의 물체를 적외선 카메라로부터 숨길 수 있는 3차원 열 투명 망토를 개발해 제작과 시험을 마쳤다. 이 장치는 열을 차단하는 대신 물체 주위로 우회시켜, 거의 모든 방향에서 열화상 카메라에 물체가 보이지 않게 만든다. 동시에 극한의 고온과 저온으로부터 물체를 보호하는 기능도 갖추고 있다. 연구진은 이 기술이 전자기기 냉각, 열 보호, 스텔스 기술 분야에 활용될 수 있다고 설명했다.

기초 연구·신소재 · ScienceDaily
Electronic

반도체·디스플레이 소재 더 읽기

반도체 소재 전체
반도체 소재 분야 사진
소식반도체·디스플레이 소재

켐트로스, 낸드 고단화로 포토레지스트 소재 매출 확대

켐트로스가 낸드플래시 적층 단수 상승에 따른 포토레지스트(PR) 수요 증가와 소재 국산화 흐름에 힘입어 반도체 소재 부문 매출 비중을 늘렸다. 주력 제품인 불화크립톤(KrF) PR용 폴리머와 광산발생제(PAG)는 낸드 고단화로 채널 홀을 나눠 뚫는 노광 공정이 반복되면서 웨이퍼당 사용량이 구조적으로 늘었다. 해외 PR 제조사들이 공급망 안정화를 위해 국내 생산 거점을 넓히면서 원료의 국내 조달 비중도 커졌다. 회사는 ArF PR용 폴리머 평가와 EUV 시너 원재료 증설을 진행 중이며, 차세대 반도체 패키징용 언더필 소재 개발도 이어가고 있다.

EBN · 2026.10.27
반도체 소재 분야 사진
소식반도체·디스플레이 소재

전투기 조종석 OLED, 다층 탠덤 구조로 개발 추진

산업통상부가 LG디스플레이, 한화시스템과 전투기 조종석용 OLED 연구개발 과제를 기획하고 있다. 전투기는 기체 전원을 쓰기 때문에 스마트폰보다 발광층을 더 쌓는 다층 탠덤 구조를 적용해 밝기와 수명을 높일 수 있다. 야간투시경 간섭을 줄이는 적색 발광재료와 캐노피 반사를 막기 위해 시야각을 좁히는 마이크로캐비티·분산 브래그 반사경·메타렌즈 같은 광학 기술도 과제로 꼽힌다. 전하생성층 누설전류 억제, 극저온 구동, 손상 시 정보 표시 이중화 설계 등도 함께 해결해야 할 과제로 제시됐다.

디일렉 · 2026.10.26
반도체 소재 분야 사진
연구반도체·디스플레이 소재

KAIST, 전도성 MOF 박막으로 트랜지스터 게이트전극 구현

KAIST 박선아 교수팀이 국립부경대·포스텍·연세대와 함께 전기가 흐르는 금속-유기 구조체(MOF)를 화학기상증착(CVD)으로 얇고 균일한 박막으로 만들고, 포토리소그래피와 식각으로 미세 패턴을 형성해 전계효과 트랜지스터(FET)의 게이트 전극으로 구현했다. 가공 후에도 소재의 구조와 화학적 상태, 전기가 흐르는 성질이 대부분 유지됐다. 연구팀은 이 전극을 이황화몰리브덴, 이텔루륨화몰리브덴, 산화물 반도체 등 세 종류의 반도체에 적용해 작동하는 것을 확인했다. 금속과 유기 분자 조합을 바꾸면 전기적 성질을 조절할 수 있어, 반도체가 요구하는 전압에 맞춘 맞춤형 전극 설계에 활용될 것으로 기대된다.

전자신문 · 2026.10.26
반도체 소재 분야 사진
연구반도체·디스플레이 소재

KERI, SiC 결함 발광파장 15년 된 국제기준 오류 규명

한국전기연구원(KERI) 나문경 박사팀이 충남대, 호리바에스텍코리아, SK실트론과 공동연구로 SiC 전력반도체의 대표 결함인 프랭크형 적층결함의 특성 발광파장이 국제전기기술위원회(IEC) 기준인 424㎚가 아니라 459㎚임을 밝혀냈다. 빛으로 결함 위치를 찾은 뒤 해당 부위를 나노미터 단위로 잘라 원자분해능 주사투과전자현미경으로 원자 배열을 직접 확인하고 슈퍼컴퓨터 이론 계산으로 교차 검증했다. 연구 결과는 학술지 '악타 머티리얼리아'에 게재됐으며, 나 박사는 호리바가 주관하는 국제 연구상 '2026 호리바 마사오상'을 수상했다. 연구팀은 이번 성과가 SiC 소재 품질과 소자 신뢰성 평가의 정확도를 높이는 데 기여할 것으로 기대했다.

전자신문 · 2026.10.25
반도체 소재 분야 사진
연구반도체·디스플레이 소재

SiC 전력반도체 적층결함 발광파장 459나노미터로 재규명

한국전기연구원 연구팀이 충남대학교, 호리바에스텍코리아, SK실트론과 공동으로 SiC 전력반도체의 '(4,1) 프랭크형 적층결함'을 식별하는 발광 파장이 기존에 알려진 424나노미터가 아니라 459나노미터라는 사실을 확인했다. 연구팀은 상용 웨이퍼 207장에서 얻은 10만여 개 결함 데이터를 분석하고, 시편 176개를 제작해 전자현미경으로 원자 배열을 관찰한 뒤 밀도범함수이론 계산으로 교차 검증했다. 기존 424nm 값은 국제전기기술위원회 기준에도 반영돼 있었지만 발광 신호와 실제 원자 구조를 일대일로 대조한 검증은 부족했다. 이번 규명은 광발광 검사 신호 해석을 정밀하게 해 불량 원인 추적과 제조 공정 개선에 활용될 것으로 기대된다.

에너지신문 · 2026.10.25
반도체 소재 분야 사진
소식반도체·디스플레이 소재

머크, 충북 음성공장서 반도체용 몰리브덴 소재 생산 시작

한국머크가 충북 음성 사업장에 이산화이염화몰리브덴(MoO2Cl2) 생산 설비를 신설하고 국내 반도체 제조사에 공급을 시작한다. 몰리브덴은 텅스텐·구리 대비 미세 공정에서 저항이 낮고 열·화학적 안정성이 높아 3D 낸드, 시스템 반도체 박막, D램 등에 적용 범위가 넓은 차세대 배선 소재로 꼽힌다. 머크는 2023년 인수한 엠케미칼 음성 사업장에서 하이-K 원자층 전구체를 생산해 왔으며, 이번에 몰리브덴 생산으로 사업을 확대했다. 안산 사업장에서 생산하는 'CHEMKEEPER Vapor 200' 공급 장비와 결합한 토털 솔루션을 제공해 고객사 접근성과 공급 안정성을 높인다는 전략이다. 머크는 향후 AI 확산에 따른 첨단 패키징, 공동패키징광학(CPO) 등 분야로 한국 내 소재 생산·공급을 넓힐 방침이다.

전자신문 · 2026.10.22
연구 목록으로